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经营范围
发明名称
Verfahren zum Herstellen einkristalliner Schichten aus vorzugsweise hexagonalem Siliciumkarbid
摘要
申请公布号
DE1236482(B)
申请公布日期
1967.03.16
申请号
DE196400S9787
申请日期
1964.03.02
申请人
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
发明人
NICKL DIPL.-CHEM. DR. JULIUS
分类号
C01B31/36
主分类号
C01B31/36
代理机构
代理人
主权项
地址
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