薄膜晶体管及其制造方法和使用该薄膜晶体管的电路和液晶显示装置

摘要

本发明提供一种具有可减少Vgs－Ids特性的变坏的结构的薄膜晶体管。该薄膜晶体管(16)具有由N型杂质扩散区构成的源区(17)、漏区(18)和栅电极(19),栅电极(19)的正下方成为沟道区(30)。此外,在源区(17)、漏区(18)中,通过多个接触孔(20)分别与源电极(21)、漏电极(22)连接。而且在沟道区(30)的内部,在多个部位并隔开一定间隔地形成P型杂质扩散区(23)。

主权项

1.一种薄膜晶体管，具有：在基板上的非单晶硅薄膜中被形成的沟道区；由在该非单晶硅薄膜中以夹住该沟道区的方式分离地被形成的第1导电型构成的第1区和第2区；以及在所述第1区或第2区的附近的高电场区中产生的与所述第1导电型相反的导电型的载流子流入的载流子注入区。