具有双沟道的薄膜晶体管及其制造方法

摘要

一种制造薄膜晶体管的方法，包括：备置氧化层；蚀刻氧化层的一部分，以形成一个凹槽；由此形成第１沟道层；在包含凹槽区域部分的第１沟道层上形成第１栅氧化层；由此形成一多晶硅层，填入凹槽中；深蚀刻多晶硅层直至第１栅氧化层的部分表面，留下已从第１栅氧化层露出的在第１沟道层上的残余层；在多晶硅层上形成第２栅氧化层；由此再形成第２沟道层；以及注入杂质离子，用以形成源／漏区。

主权项

1、一种薄膜晶体管，包括：绝缘层、沟道层、及栅氧化层，其特征在于，所说的绝缘层具有一个凹槽，所说的沟道层为第一沟道层形成在该绝缘层上，所说的栅氧化层为第一栅氧化层，形成在包含该凹槽区域部分的第一沟道层上，并且具有：一第1多晶硅层，用于一栅电极，它填充于该第1栅氧化层的该凹槽区域内；一第2多晶硅层，形成在该第1沟道层上，其中，由第1和第2多晶硅层及第1栅氧化层制成的所获得结构的上表面具有一致的布局；一第2栅氧化层，形成在该第1多晶硅层上；以及一第2沟道层，形成在所得的结构上，且与该第2多晶硅层进行电连接；因此，该源/漏区由该第1沟道层、第2多晶硅层和第2沟道层的多层组成。