发明名称 光纤光栅及其制法
摘要 本发明系关于一种光纤光栅及其制造方法。根据此方法,由于要获得一充分之光致感应之折射率改变,一氢掺杂过程是在紫外线照射之前执行。特别是用于此方法之氢掺杂过程之标的之特征在于以树脂包覆一具有纤心区和表层区之裸光纤外表面。在被覆光纤曝露于氢气团中在一预定加压状态中经一预定时期后,将部分树脂移除。紫外线射线乃照射在树脂已移除之裸光纤预定部上,因此在纤心区形成一反射光栅。本方法之特征在调整氢气团的压力降低速率时,氢气团的压力自加压状态下降低。故能防止裸光纤表面之退化,并亦能防止裸光纤与树脂被覆间气泡或类似物之产生,因此获得有高可靠度之光纤。
申请公布号 TW342458 申请公布日期 1998.10.11
申请号 TW086107947 申请日期 1997.06.10
申请人 住友电气工业股份有限公司 发明人 伊藤真澄;池知麻纪;榎本正敏
分类号 G02B6/00 主分类号 G02B6/00
代理机构 代理人 何金涂 台北巿大安区敦化南路二段七十七号八楼
主权项 1.一种制造光纤光栅之方法,包括:第1步骤系准备一被覆光纤,其包括:一裸光纤,具有一预定折射率之纤心区及一提供在该纤心区外表面周围并有较该纤心区为低之折射率之表层区;及一树脂,包覆于该裸光纤之外表面;并系曝露该准备之被覆光纤于一含有氢之气团中在一预定压力状态下经一预定时期,因此掺杂氢于该被覆光纤中;第2步骤系部份的移除在第1步骤中掺杂有氢之该被覆光纤之该树脂,因此曝露该裸光纤之一预定部之表面;及第3步骤系照射一紫外线射线至在第2步骤中被移除该树脂之该裸光纤之曝露预定部上,因此沿该纤心区之纵向方向改变该裸光纤之暴露预定部中之该纤心区之折射率。2.如申请专利范围第1项之方法,又包括,在第1步骤与第2步骤之间之第4步骤系以一预定速率降低含氢气团之压力。3.如申请专利范围第1项之方法,其中在第1步骤中含氢气团之压力在加压状态中是100至300atm,及周围温度是不高于100℃。4.如申请专利范围第2项之方法,其中在第4步骤中,用于自加压状态降低含氢气团压力之最大压力降低速率是不大于10atm/min。5.如申请专利范围第4项之方法,其中在第4步骤中,用于自加压状态降低含氢气团压力之最大压力降低速率是落在2至10atm/min之范围内。6.如申请专利范围第1项之方法,其中该包覆该裸光纤之该外表面之树脂是一紫外线硬化树脂。7.一种依申请专利范围第1项之方法所制造之光纤光栅,其中在第2步骤中余留之该树脂及该裸光纤之该外表面是互相密切接触,致使在该余留树脂与该裸光纤之该外表面间之介面处之气泡数目是不大于每1m长度1000个,该每一个气泡具有在该裸光纤之径向方向之1m至20m之厚度及1m至10mm之最大长度。8.一种光纤光栅,包括:一纤心区,含有一预定量之氧化锗及具有一预定之折射率;一表层区,提供在该纤心区之外表面周围并具有一较该纤心区为低之折射率;一光栅,提供在沿该纤心区之纵向方向之该纤心区之一预定部中;及一树脂,包覆该表层区之外表面而不包覆该光栅形成之该纤心区之该预定部,其中该树脂与该表层区之外表面是互相紧密接触,致使该余留树脂与该表层区之该外表面间之介面处之气泡数目是不大于每1m长度1000个,该每一气泡具有在自该表层区向着该树脂之径向方向之厚度为1m至20m及一最大长度为1m至10mm。图式简单说明:第一图是显示根据本发明用于实际制造一光纤光栅之方法之一加压器之简要结构图;第二图是显示一被覆光纤之结构图;第三图是显示根据本发明制造光纤光栅方法中氢掺杂过程后在压力降低速率(atm/min)与气泡产生率间之关系曲线图;第四图是显示根据本发明使用于制造光纤光栅方法之一被覆光纤之视图(部分被覆层已予移除);第五图是根据本发明制造光纤光栅方法中写入一布雷格光栅之步骤之说明图;第六图是显示根据本发明之制造方法所生产之根据本发明之一光纤光栅结构之剖面图;第七图是显示用于测量光纤光栅之反射系数之一测量系统之结构图;以及第八图是显示用于测量光纤光栅中产生之气泡数目之之一测量系统之结构图。
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