| 主权项 |
1.一种利用补偿性布植制造双闸极CMOS元件的方法,包括下列步骤:a.提供一半导体基底,其上形成有相邻的第一型井区和第二型井区、及一隔离区用以分隔该第一和第二型井区;b.形成一闸极氧化层于该第一和第二型井区表面上;c.形成一复晶矽层于该闸极氧化层表面上,其淡掺杂有第一型离子;d.布植第二型离子进入该第一型井区上方部分的该复晶矽层中,用以中和其中的第一型离子,并使其转变为淡掺杂有第二型离子,而该第二型井区上方部分的该复晶矽层则仍保持淡掺杂有第一型离子;e.以微影成像和蚀刻程序定义该复晶矽层的图案,分别在该第一型井区上形成第二型复晶矽闸极和该第二型井区形成第一型复晶矽闸极;以及f.分别布植第一型离子进入该第二型井区中及布植第二型离子进入该第一型井区中,用以提高该第一型和第二型复晶矽闸极的导电度,并在该第一型复晶矽闸极两侧形成第一型源/汲极区,构成第一型电晶体,以及在该第二型复晶矽闸极两侧形成第二型源/汲极区,构成第二型电晶体。2.如申请专利范围第1项所述的方法,其中该第一型井区是一P井。3.如申请专利范围第1项所述的方法,其中该第二型井区是一N井。4.如申请专利范围第1项所述的方法,其中该隔离区之材质是二氧化矽层。5.如申请专利范围第1项所述的方法,其中该闸极氧化层的较佳厚度约为8nm-15nm。6.如申请专利范围第1项所述的方法,其中该第一型离子是选自于硼、氟化硼或乙烷硼组成的P型离子族群。7.如申请专利范围第1项所述的方法,其中该第二型离子是选自于砷或磷组成的N型离子族群。8.如申请专利范围第1项所述的方法,其中该复晶矽层之较佳厚度约为100-150nm,且经第一型离子淡掺杂后的杂质浓度约为11020atoms/cm3。9.如申请专利范围第1项所述的方法,其中以该第二型离子布植进入该第一型井区上方的该复晶矽层中,用以中和其中的第一型离子后,该复晶矽转变为含有淡掺杂第二型离子,其杂质浓度为31020atoms/cm3。10.如申请专利范围第1项所述的方法,其中该第一型复晶矽闸极是一P型闸极,且杂质浓度约大于21020atoms/cm3。11.如申请专利范围第1项所述的方法,其中该第二型复晶矽闸极是一N型闸极,且杂质浓度约大于31020atoms/cm3。12.如申请专利范围第1项所述的方法,其中该第一型源/汲极区是一P型扩散区。13.如申请专利范围第1项所述的方法,其中该第二型源/汲极区是一N型扩散区。14.如申请专利范围第1项所述的方法,其中该第一型电晶体是一PMOS,其包含有一P+型复晶矽闸极、一P+型源/汲极扩散区及一N型井区。15.如申请专利范围第1项所述的方法,其中该第二型电晶体是一NMOS,其包含有一N+型复晶矽闸极、一N+型源/汲极扩散区及一P型井区。图式简单说明:第一图A-第一图G是习知一种双闸极CMOS元件的剖面制造流程图。第二图A-第二图F是根据本发明以制造双闸极CMOS元件的剖面流程图。 |
