发明名称 FIELD-EFFECT TRANSISTOR AND MANUFACTURE THEREOF, SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURE THEREOF AND LOGIC CIRCUIT CONTAINING SEMICONDUCTOR DEVICE THEREOF AND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
摘要
申请公布号 JPH10270685(A) 申请公布日期 1998.10.09
申请号 JP19970074746 申请日期 1997.03.27
申请人 SONY CORP 发明人 NOGUCHI TAKASHI;SONEDA MITSUO
分类号 H01L29/78;H01L21/8238;H01L27/092;(IPC1-7):H01L29/78;H01L21/823 主分类号 H01L29/78
代理机构 代理人
主权项
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