| 摘要 |
<p>Cette invention se rapporte à un nouveau procédé à basse température, qui permet la croissance de films minces métalliques et céramiques à nanostructure par déposition en phase vapeur par voie chimique (CVD) et qui consiste à utiliser un réacteur à flamme de diffusion à courant conjoint et à basse pression pour faire réagir la vapeur de métal alcalin et la vapeur d'halogénure de métal pour former des dépôts de films en métal, en alliage et en céramique. La chimie de cette réaction est décrite par l'équation générale suivante: (mn)Na + nMXm ------> (M)n + (nm)NaX, où Na représente le sodium ou un autre métal alcalin (par exemple K, Rb, Cs), et MXm représente un halogénure de métal (M est un métal ou un autre élément tel que Si, B ou C; X représente un atome d'halogène, par exemple le chlore, le fluor ou similaire; et m et n sont des nombres entiers). Cette réaction chimique constitue une technique viable pour la croissance de minces films. Dans un autre mode, en utilisant les précurseurs de vapeur de métal de sodium, le tétrachlorure de titane (le réactif de limitation) et soit de l'argon soit de l'azote sous forme gazeuse, du titane (Ti), du nitrure de titane (TiN), du dioxide de titane (TiO2) et du siliciure de titane (TiSi, Ti5Si3, TiSi2, Ti5Si4), on peut obtenir avec succès la croissance de minces films sur des substrats de cuivre et de silicium. Les conditions peuvent être réglées pour empêcher ou réduire au minimum la nucléation de particules en phase gazeuse et leur croissance. On peut également faire varier les températures des substrats pour empêcher tout dépôt excessif de sel.</p> |
