非易失存储器件及其制造方法

摘要

一种非易失存储器件及其制造方法。该器件包括:第一导电类型半导体衬底;多个第二导电类型第一和第二杂质区,在半导体衬底表面下一方向相隔一定距离交替形成;多个岛状隧道绝缘层,在第二杂质区与第一杂质区一侧第一杂质区间半导体衬底上;绝缘层,在除隧道绝缘层上外的半导体衬底上;多个浮置栅极,每个在每个隧道绝缘层上、和另一个第二杂质区与第一杂质区另一侧第一杂质区间绝缘层上;介电层,在每个浮置栅极上;多根字线,在多个浮置栅极上与第一和第二杂质区垂直。

主权项

1.一种非易失存储器件，包括：第一导电类型的半导体衬底；公共源区端、编程/读取漏区端、和监视器漏区端，均为第二导电类型并形成于半导体衬底表面之下，相互隔开一定距离；隧道绝缘层，形成于公共源区端与编程/读取漏区端之间的半导体衬底上；绝缘层，形成于公共源区端与监视器漏区端之间的半导体衬底上；浮置栅极，形成于隧道绝缘层和绝缘层上； 介电层，形成于浮置栅极表面上；控制栅极，位于介电层上。