发明名称 | 利用阴极弧光放电的薄膜沉积装置 | ||
摘要 | 一种薄膜沉积装置包括:电弧蒸发部分,在该部分通过阴极弧光放电而产生一沉积材料的带电粒子;等离子体导管,该导管具有一个弯度且能把所述带电粒子从所述电弧蒸发部分导向一个基底;和励磁器,该励磁器用于产生一磁场以引导带电粒子从电弧蒸发部分向基底传输,所述装置还包括安装在等离子体导管的弯度处的凸出部位的反射磁场源,用于产生磁场,其与励磁器产生的磁场相互作用,从而使磁力线沿等离子体导管分布。 | ||
申请公布号 | CN1195035A | 申请公布日期 | 1998.10.07 |
申请号 | CN97123088.9 | 申请日期 | 1997.12.05 |
申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 金钟国;南升浩;崔秉龙 |
分类号 | C23C14/34 | 主分类号 | C23C14/34 |
代理机构 | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
主权项 | 1.一种薄膜沉积装置包括:一个电弧蒸发部分,在该部分通过阴极弧光放电而产生一沉积材料的带电粒子;一个等离子体导管,该导管具有一个弯度且能把所述带电粒子从所述电弧蒸发部分导向一个基底;和一个励磁器,该励磁器用于产生一磁场以引导所述带电粒子从所述电弧蒸发部分向所述基底传输,其特征在于,所述装置还包括一个安装在所述等离子体导管的所述弯度处的凸出部位的反射磁场源,用于产生磁场,其与所述励磁器产生的磁场相互作用,从而使磁力线沿所述等离子体导管分布。 | ||
地址 | 韩国京畿道 |