| 发明名称 | 半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的目的在于防止硅化钛层与P型杂质层的接触电阻增大、P型MOS晶体管的电流驱动能力降低,在用于形成P型源、漏区域7的第1P型杂质离子注入工序和用于激活的热处理工序之后,包括,第2P型杂质的离子注入工序;用于至少使源、漏区域部位的扩散层非晶化的第3杂质离子注入工序;形成硅化钛9的工序。由此,降低了硅化钛层与P型杂质层的接触电阻,提高了P型MOS晶体管的电流驱动能力。 | ||
| 申请公布号 | CN1195189A | 申请公布日期 | 1998.10.07 |
| 申请号 | CN98106258.X | 申请日期 | 1998.01.24 |
| 申请人 | 日本电气株式会社 | 发明人 | 小田典明 |
| 分类号 | H01L21/336;H01L21/28 | 主分类号 | H01L21/336 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 杨丽琴 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于包括：用于形成源·漏的第1P型杂质的离子注入工序；用于激活注入离子的热处理工序；第2P型杂质的离子注入工序；用于至少使源·漏部位的扩散层非晶化的第3杂质注入工序；形成硅化钛(TiSi2)的工序。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||