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经营范围
发明名称
高性能电子快速启辉器
摘要
本实用新型提供一种高性能电子快速启辉器,它由半桥整流电容升压电路、可控硅开关电路、电阻降压触发电路、晶体管强制关断可控硅电路、外壳组成。本实用新型电路设计独特先进,它克服了现有电子启辉器不能启辉细管径日光灯的缺点,能快速启辉大、细管径日光灯,具有启辉性能好、无触点、寿命长、启辉快速、一开即亮的特点,是一种有实用价值的新型电子快速启辉器。
申请公布号
CN2293935Y
申请公布日期
1998.10.07
申请号
CN97208931.4
申请日期
1997.04.04
申请人
陈大洲
发明人
陈大洲
分类号
H05B39/02
主分类号
H05B39/02
代理机构
代理人
主权项
一种高性能电子快速启辉,由半桥整流电容升压电路、可控硅开关电路、电阻降压触发电路、晶体管强制关断可控硅电路、外壳组成,其特征在于:半桥整流电容升压电路中二极管D2、D3的正极分别接灯丝两端,电容C1与D2并接;可控硅开关电路中可控硅SCR与二极管D4串联,SCR的正极与D2和D3的负极相接,D4负极与D3正极相接;电阻降压触发电路中二极管D1的正极与D2正极相接,D1的负极与电阻R1相接,R1的另一端与电阻R2及可控硅SCR控制极相接,R2的另一端与D4负极相接,电容C2与R2并接;晶体管强制关断可控硅电路中三极管BG集电极与SCR控制极及C2正极相接,BG发射极与D4负极相接,BG基极与SCR负极及D4正极相接。
地址
527100广东省郁南县都城莲花坪下路15号前幢1-3号
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