| 发明名称 | 具有多层镀层的半导体引线框架及其制造方法 | ||
| 摘要 | 提供了一种半导体引线框架及其制造方法,该引线框架包括一个金属衬底、金属衬底上形成的一层铜镍合金层以及形成在铜镍合金层上的一层钯或钯合金层。 | ||
| 申请公布号 | CN1194463A | 申请公布日期 | 1998.09.30 |
| 申请号 | CN98101127.6 | 申请日期 | 1998.03.25 |
| 申请人 | 三星航空产业株式会社 | 发明人 | 金重道;福京纯 |
| 分类号 | H01L23/495;H01L21/60 | 主分类号 | H01L23/495 |
| 代理机构 | 中科专利代理有限责任公司 | 代理人 | 卢纪 |
| 主权项 | 1、一种半导体引线框架，其特征在于，它包括：一个金属衬底；形成于金属衬底上的铜镍合金层，所述铜镍合金中含铜占总重量的20～80％；以及形成于铜镍合金层上的钯或钯合金层。 | ||
| 地址 | 韩国庆尚南道 | ||