| 发明名称 | 磷化镓绿色发光器件 | ||
| 摘要 | 一种GaP绿色发光二极管,包括:n型GaP单晶衬底;和至少按顺序形成在衬底上的n型GaP层、掺氮n型GaP层和掺氮p型GaP层。控制掺氮n型GaP层中的碳和/或硫浓度不超过6×10<SUP>15</SUP>cm<SUP>-3</SUP>。 | ||
| 申请公布号 | CN1194470A | 申请公布日期 | 1998.09.30 |
| 申请号 | CN98106924.X | 申请日期 | 1998.02.17 |
| 申请人 | 昭和电工株式会社 | 发明人 | 吉永敦;长谷川孝一 |
| 分类号 | H01L33/00 | 主分类号 | H01L33/00 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.一种GaP绿色发光二极管，包括：n型GaP单晶衬底；和至少按顺序形成在衬底上的n型GaP层、掺氮n型GaP层和p型GaP层。其中掺氮n型GaP层中的碳浓度不超过6×1015cm-3。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||