SEMICONDUCTOR FLUSH MEMORY ELEMENT AND ITS MANUFACTURE,申请号JP19980055117-传众专利搜索

发明名称	SEMICONDUCTOR FLUSH MEMORY ELEMENT AND ITS MANUFACTURE
摘要
申请公布号	JPH10261727(A)	申请公布日期	1998.09.29
申请号	JP19980055117	申请日期	1998.03.06
申请人	LG SEMICON CO LTD	发明人	HE CHEORU JEON
分类号	H01L21/8247;G11C11/34;G11C11/38;H01L21/28;H01L27/10;H01L27/115;H01L29/423;H01L29/788;H01L29/792;(IPC1-7):H01L21/824	主分类号	H01L21/8247
代理机构		代理人
主权项
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