| 发明名称 |
Method for forming a polycide gate electrode |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
SG52968(A1) |
申请公布日期 |
1998.09.28 |
| 申请号 |
SG19970001473 |
申请日期 |
1997.05.10 |
| 申请人 |
CHARTERED SEMICONDUCTOR MANUFACTURING LTD |
发明人 |
PAN YANG;WONG HARIANTO |
| 分类号 |
H01L21/28;H01L21/285;(IPC1-7):H01L21/76;H04B1/22 |
主分类号 |
H01L21/28 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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