| 发明名称 |
METHOD OF GROWING N-TYPE GAAS SEMICONDUCTOR |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH10256157(A) |
申请公布日期 |
1998.09.25 |
| 申请号 |
JP19970057635 |
申请日期 |
1997.03.12 |
| 申请人 |
NIPPON TELEGR & TELEPH CORP <NTT> |
发明人 |
MURAKI KOJI;HIRAYAMA YOSHIO |
| 分类号 |
C30B29/42;H01L21/203;(IPC1-7):H01L21/203 |
主分类号 |
C30B29/42 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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