Struktur, die eine dünne Schicht aus einem ferroelektrischen Kristall enthält, Verfahren zur Herstellung und diese Struktur verwendende Vorrichtung,申请号DE19946012579-传众专利搜索

发明名称	Struktur, die eine dünne Schicht aus einem ferroelektrischen Kristall enthält, Verfahren zur Herstellung und diese Struktur verwendende Vorrichtung
摘要
申请公布号	DE69412579(D1)	申请公布日期	1998.09.24
申请号	DE19946012579	申请日期	1994.12.23
申请人	SHARP K.K., OSAKA, JP	发明人	SATOH, SAKIKO, YACHIYO-SHI, CHIBA-KEN, JP;MATSUNAGA, HIRONORI, NODA-SHI, CHIBA-KEN, JP;NAKANISHI, KENJI, INBA-GUN, CHIBA-KEN, JP;MASUDA, YOSHIYUKI, NODA-SHI, CHIBA-KEN, JP;KOBA, MASAYOSHI, NARA-SHI, NARA-KEN, JP
分类号	H01L21/8247;H01L21/02;H01L27/10;H01L29/51;H01L29/788;H01L29/792;H01L41/18;H01L49/02;(IPC1-7):H01L29/43;H01L21/283	主分类号	H01L21/8247
代理机构		代理人
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