发明名称 Verfahren zur Ablagerung von Fluor-enthaltenden Silizium-Dioxid-Schichten
摘要
申请公布号 DE69224924(T2) 申请公布日期 1998.09.24
申请号 DE19926024924T 申请日期 1992.01.17
申请人 NEC CORP., TOKIO/TOKYO, JP 发明人 HOMMA, TETSUYA, C/O NEC CORPORATION, MINATO-KU, TOKYO 108-01, JP
分类号 H01L21/283;C23C16/40;H01L21/314;H01L21/316;H01L21/768;H01L23/522;(IPC1-7):H01L21/316;C23C16/04 主分类号 H01L21/283
代理机构 代理人
主权项
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