半导体器件

摘要

提供一种半导体器件,该器件可降低在半导体层和半导体与金属的金属化合物层的结界面处产生的晶体缺陷以及在外延层与其形成衬底的结界面处产生的晶体缺陷,可提高电特性。在P型阱层50的表面内形成一对源·漏层52,该源·漏层52是独立地、互相平行地形成的。在该源·漏层52的上部分别形成金属硅化物层8。然后,在源·漏层52和金属硅化物层8的结界面附近形成含有氮的区域9。

主权项

1.一种半导体器件，其特征在于：具有将具有晶体性的半导体层和构成该半导体层的半导体元素与金属元素的金属化合物层接合在一起的结构；在所述半导体层和所述金属化合物层的结界面附近备有导入了其键半径比所述半导体元素的键半径小的、具有由于其存在不使所述半导体层的电特性变坏的性质的第1元素的第1元素含有区域。