| 发明名称 | 金属氧化物半导体场效应晶体管结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种MOSFET结构及其制造方法,其中不用任何掩模而是用自对准栅掩模,不在源附近形成轻掺杂区。该结构包括:半导体衬底;形成于半导体衬底上的栅氧化膜和栅极;形成于半导体衬底中的第一高浓度杂质区,该区与栅极一侧相邻;形成于半导体衬底中的轻掺杂区,该区与栅极的另一侧相邻,及与轻掺杂区相邻形成的第二高浓度杂质区。 | ||
| 申请公布号 | CN1193817A | 申请公布日期 | 1998.09.23 |
| 申请号 | CN97116248.4 | 申请日期 | 1997.08.22 |
| 申请人 | LG半导体株式会社 | 发明人 | 全锡珤 |
| 分类号 | H01L29/78;H01L21/336 | 主分类号 | H01L29/78 |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 余朦;王达佐 |
| 主权项 | 1.一种MOSFET(金属氧化物场效应晶体管)结构，包括：半导体衬底；形成于半导体衬底上的栅氧化膜和栅极；形成于半导体衬底中的第一高浓度杂质区，该区与栅极一侧相邻；形成于半导体衬底中的轻掺杂区，该区与栅极的另一侧相邻；及与轻掺杂区相邻形成的第二高浓度杂质区。 | ||
| 地址 | 韩国忠清北道 | ||