| 发明名称 | 铟镓砷光电探测器 | ||
| 摘要 | 铟镓砷光电探测器，属于微电子学光电子技术领域。本发明是由衬底、缓冲层、吸收层、ＩｎＰ增强层、薄Ｐ型ＩｎＰ增强层、金属电极组成。本发明可获得比仅用ＩｎＰ势垒增强层更为高的势垒高度，仍然保持其晶格匹配，高速、低暗电流，工艺简单的优点，是一种广泛应用于光纤通讯领域中的更为理想的光电探测器。 | ||
| 申请公布号 | CN1039956C | 申请公布日期 | 1998.09.23 |
| 申请号 | CN93112365.8 | 申请日期 | 1993.03.13 |
| 申请人 | 上海交通大学 | 发明人 | 史常忻;王庆康 |
| 分类号 | H04B10/02;H01L49/00;H01L27/14;H01L33/00 | 主分类号 | H04B10/02 |
| 代理机构 | 上海交通大学专利事务所 | 代理人 | 匡宗德 |
| 主权项 | 1、一种铟镓砷光电探测器，它由衬底(1)、缓冲层(2)、吸收层(3)、非掺杂磷化铟(InP)增强层(4)、金属电极(5)组成，其特征在于在非掺杂磷化铟(InP)增强层(4)上再生长一层薄P型掺杂磷化铟(InP)增强层(6)。 | ||
| 地址 | 200030上海市华山路1954号 | ||