| 主权项 |
1.一种具自动修护之记忆体装置,其包括有:一输入级电路,系接收一程式写入致能讯号、一晶片致能讯号、一输出致能讯号、一电源重置讯号及位址输入讯号而输出一修护动作启动;一保险丝电路,系接收位址输入讯号及该输入级电路所输出之修护动作启动,将一记忆体细胞单元损坏而须修护之位址资料,经一保险丝之烧录并与原位址资料比对后,产生一匹配讯号;一保险丝埠讯号产生器,系当有电源重置讯号输出或该保险丝电路所输出之一保险丝验证全部正确讯号时即输出一保险丝扫描讯号予该保险丝电路;一电源重置电路,系当电源重置时产生一电源重置讯号;一缓冲电路,系接收该匹配讯号,输出一修护动作致能讯号、一列反致能讯号及一行反致能讯号;一预留记忆体细胞单元解码器,连接位址输入讯号与修护动作致能讯号,将位址値加以解码并启动一预留记忆体细胞单元;一预留记忆体细胞单元,系预置之记忆体细胞单元,可修护受损坏之记忆体细胞单元;一习用记忆体电路,系执行资料输入/输出于记忆体细胞单元中者。2.如申请专利范围第1项所述之具自动修护之记忆体装置,其中该输入级电路系包括有:一时脉产生器,系连接有程式写入致能讯号、晶片致能讯号以及输出致能讯号并输出一时脉讯号;一清除脉波产生器,系连接位址输入讯号及电源重置讯号而输出一清除控制讯号者;一计数器,系接收时脉讯号及一清除控制讯号,于计数一定之程式写入/验证循环次数后,输出一修护动作启动讯号。3.如申请专利范围第1项所述之具自动修护之记忆体装置,其中所述保险丝电路,系包括有:一单击电路,连接该保险丝扫描讯号,用以将一保险丝扫描讯号输出为两保险丝扫描相位讯号者;一保险丝栓锁电路,连接有修护动作启动讯号、位址输入讯号及两保险丝扫描相位讯号而输出一高准位或低准位之讯号及一保险丝验证正确讯号;一比较器,用以比较烧录至保险丝电路之位址値与原输入之位址値是否相同;一位址匹配电路,连接该比较器之输出,系于该比较器比较结果之値皆相同时输出一匹配讯号;一保险丝验证正确电路,连接该保险丝验证正确讯号,当所烧录至保险丝电路之位址値无误时输出一保险丝验证全部正确讯号者。4.如申请专利范围第3项所述之具自动修护之记忆体装置,其中所述保险丝栓锁电路系包括有一栓锁电路,其连接有二金氧半导体开关而输出一高准位或低准位之讯号,另设置有一保险丝系连接于保险丝栓锁电路与一金氧半导体开关之间,该保险丝两端则连接有一保险丝程式写入/验证电路,该保险丝程式写入/验证电路另连接有位址输入讯号及修护动作启动讯号并输出一验证正确讯号。5.如申请专利范围第3项所述之具自动修护之记忆体装置,其中所述保险丝栓锁电路系可为复数个保险丝栓锁电路以执行电路操作者。6.如申请专利范围第3项所述之具自动修护之记忆体装置,其中该比较器系可为复数个比较器以执行比较烧录至保险丝电路之位址値与原输入之位址値是否相同者。7.如申请专利范围第4项所述之具自动修护之记忆体装置,其中该保险丝之设置系可以一多晶矽保险丝取代者。8.如申请专利范围第4项所述之具自动修护之记忆体装置,其中该保险丝之设置系可以一金属保险丝取代者。9.如申请专利范围第4项所述之具自动修护之记忆体装置,其中该保险丝之设置系可以直接使用一可抹除且可程式记忆体(EPROM_Cell)取代者。10.如申请专利范围第4项所述之具自动修护之记忆体装置,其中该保险丝之设置系可以直接使用一可电气抹除且可程式记忆体(EEPROM_Cell)取代者。11.如申请专利范围第4项所述之具自动修护之记忆体装置,其中该保险丝之设置系可以直接使用一快闪记忆体(Flash_Cell)取代者。图式简单说明:第一图系为习用记忆体程式写入装置之程式写入动作流程图。第二图系为本创作实施例之电路方块图。第三图系为本创作实施例中保险丝电路之详细电路方块图。第四图系为本创作实施例中保险丝栓锁电路之详细电路方块图。第五图系为本创作实施例中保险丝程式写入讯号之时序图。第六图系为本创作实施例之动作时序图。 |
