发明名称 可用于电路板蚀刻之流体处理装置及方法
摘要 一种流体处理装置及方法,可以预定之速率将第一和第二流体(例如蚀刻剂和水)施用至一个通过此装置之物品(例如电路板)上。该第一流体先喷打至该物品的一表面上,其后再收集于此装置内的一共用外壳内部。该第二流体喷打至该物品之表面上后,亦收集于同一外壳内,但系存放于和所收集到之第一流体分隔开的位置上,因此可部份避免其混合在一起。用以进行流体喷打的较佳位置包含有数个分隔开之流体喷射器,各该喷射器内均至少包含有二列之流体束喷射器。所收集到之流体则分别返回各自之喷打装置。第二流体的补充系由一个可用以供应第二流体的泵浦所提供的,该流体处理装置另包含可以和第二流体补充速率相当之速率有效地将第二流体移走的装置(例如排放管)。第一流体亦藉由相对于第一流体喷打装置设置(例如设置在其相对侧上)之适当装置(例如双滚子)而将其保持在物品表面上方给定之液面高度上。其亦可能将第二流体保持在类似之高度。阶梯式排放所收集到之第二流体亦是可加以使用的,此排放系发生在用以收集第一流体之同一外壳腔室内。
申请公布号 TW340807 申请公布日期 1998.09.21
申请号 TW082108303 申请日期 1993.10.07
申请人 万国商业机器公司 发明人 史帝芬.林兹.巴德;吉拉德.安德瑞.班兹;约翰.罗伯.查普拉;麦可.夏恩.何伦;麦可.詹姆士.坎兹托洛;杰夫瑞.唐纳.琼斯;爱德华.杰.法兰柯斯基
分类号 B05C11/02 主分类号 B05C11/02
代理机构 代理人 陈长文 台北巿敦化北路二○一号七楼
主权项 1.一种可用于电路板蚀刻之流体处理装置,系用以将第一及第二流体施用于通过其内之一物品上,该装置包含:一外壳,界定一腔室于其内;第一流体喷打装置,设置在该外壳内,用以喷打第一流体至该物品之一表面上;第一装置,用以收集在外壳腔室内喷打物品之第一流体之主要量,该流体之一小部份未在腔室内由第一装置收集,该已被收集之主要量占据该腔室内之第一位置;一用以将主要量之该收集到之第一流体循环至该第一流体喷打装置上之装置;第二流体喷打装置,包括第一与第二流体施加构件,设置在该外壳内,用以在一大致上邻接于该第一流体喷打装置的位置上喷打第二流体至该物品之该表面上;阶式水槽装置包括第一与第二收集腔室,用以收集外壳腔室内之巳喷打之第二流体,以使被收集之第二流体可在第一流体被收集之主要部份上方直立地定位,该第一收集腔室收集由第二流体喷打装置之第一流体施加构件喷打在物品上之第二流体,并且更收集非由第一装置收集之第一流体之小部份,以使第一收集腔室包括一第一流体与第一浓度之第二流体之混合物,该第二收集腔室收集由第二流体施加构件喷打在物品上之第二流体并且另可收集非由第一收集腔室所收集之第一流体小部份量之一部份,以使第二收集腔室内之第二流体之浓度大于第一浓度,并且第二收集腔室内之液位大于第一收集腔室内之液位,使第二收集腔室内之流体一部份溢流入第一收集腔室;将第一、二收集室所收集到之流体各别循环至第一、二流体施加构件之装置;一用以供应新进量第二流体至该第二流体喷打装置之第二流体施加构件上之装置。2.根据申请专利范围第1项之流体处理装置,其中该用以供应新进量第二流体至该第二流体施加构件之装置直接将该新进量提供至第二收集室,该流体循环装置将该新进量循环至第二流体施加构件。3.根据申请专利范围第1项之流体处理装置,进一步包含有一用以将预定量之收集到的流体以一预定之速率自该流体处理装置之阶式水槽之第一收集腔室中移走之装置。4.根据申请专利范围第1项之流体处理装置,其中该用以将新进量第二流体供应至该第二流体喷打装置之第二流体施加构件包含有一泵浦。5.根据申请专利范围第1项之流体处理装置,其中该第一流体喷打装置包含有至少一个长形的流体喷射器构件。6.根据申请专利范围第1项之流体处理装置,其中该第一与第二流体喷打装置之第流体施加构件各包含有至少一个长形的流体喷射器构件。7.根据申请专利范围第1项之流体处理装置,其中该用以将所收集到之第一流体主要量循环至该第一流体喷打装置上之装置包含有一泵浦。8.根据申请专利范围第1项之流体处理装置,其中阶式水槽装置包含三个分隔开之收集腔室。9.根据申请专利范围第1项之流体处理装置,进一步包含有一种装置,用以在一大致上邻接于该用以将第一流体喷打至该物品之该表面上之装置的区域处,将一定量之第一流体在该物品之该表面上维持一给定之液面高度。10.根据申请专利范围第1项之流体处理装置,进一步包含有第三流体喷打装置,用以在一大致上邻接于该第二流体喷打位置的位置上喷打第三流体至该物品上。11.根据申请专利范围第1项之流体处理装置,其中该第一流体是一蚀刻剂,而该第二流体是水。12.根据申请专利范围第1项之流体处理装置,进一步包含有导引装置,设置在该外壳内,可供以滑动方式在该外壳内啮合该物品,以供在该物品移动通过该流体处理装置时,将该物品维持在正确方位上。13.根据申请专利范围第1项之流体处理装置,进一步包含有至少一滚子,位在该物品下方相对于该第一流体喷打装置处,该第一与第二收集腔室具有至少一直立壁部,该壁部自该等腔室处向上延伸至紧接于该滚子下方,该滚子和该直立壁部大致上可防止喷打至该物品底面上之第一流体进入该收集腔室内。14.一种可用于电路板蚀刻之液体处理方法,系以流体处理一物品,该方法包含有下列步骤:移动该物品通过一个界定一腔室于其内之外壳;在该腔室内喷打第一流体于该物品之一表面上;以第一收集装置收集第一喷打流体之主要量于腔室中,并收集非由第一收集装置所收集之第一流体之小部份量,该收集之主要量占据该腔室内之第一位置;将收集到之第一流体主要量循环至一个用以将该第一流体喷打至该物品表面上的装置内,其后喷打所收集到之第一流体之主要量至该物品上;在一大致上邻接于第一流体喷打位置的位置上使用第一与第二流体施加构件喷打第二流体至该物品之该表面上;将所喷打出之第二流体及第一流体之小部份量,藉具有第一、二收集腔室之阶式水槽装置而收集在该外壳之腔室内以使收集到之第二流体与第一流体之小部份量可大致直立地定位在第一流体主要量之第一位置上方,并且在第二收集腔室内之第二流体浓度超过第一收集腔室内第二流体之浓度;将第二收集腔室内之流体溢流入第一收集腔室;以及将第二流体新进量供应至一个用以将该第二流体喷打至该物品之该表面上的装置内,其后喷打该新进量之第二流体至该物品上。15.根据申请专利范围第14项之液体处理方法,其中该物品之移动系藉在该物品上之预定位置处上以滚子啮合该物品而达成的。16.根据申请专利范围第14项之液体处理方法,其中该第一流体之喷打系藉着流体束之喷射而达成的。17.根据申请专利范围第14项之液体处理方法,其中该第二流体之喷打系藉着流体束之喷射而达成的。18.根据申请专利范围第14项之液体处理方法,其中该第二流体之收集包含有以阶梯式之方式排放第二流体的步骤。19.根据申请专利范围第14项之液体处理方法,进一步包含有在该第一流体喷打之区域上,将第一流体维持在该物品之该表面上一给定之液面高度的步骤。20.根据申请专利范围第14项之液体处理方法,进一步包含有在一大致上邻接于该第二流体喷打位置的位置上喷打第三流体至该物品上的步骤。图式简单说明:第一图是一部分剖开之前侧视图,显示根据本发明一较佳具体例的流体处理装置。第二图是第一图中装置自第一图中线2-2所取的侧视图,系较第一图中之视图稍为缩小。第三图是第一图中装置自第一图中线3-3所取的侧视图,系较第一图中之视图稍为缩小。第四图是第一图中装置自第一图中线4-4所取的顶视图,系较第一图中之视图稍为放大。第五图是一侧视图,较第一图至第四图中之视图放大甚多,显示本发明一较佳具体实施中配合本发明流体喷洒装置使用的流体维持滚子总成。
地址 美国