| 主权项 |
1.一种半导体装置包括:一半导体晶片,具有第一和 第二 面积,第一面积包括第一、第二、第三及第四部份 ,它们 朝着第一方向,按照该次序被排列成一直线;多数 储存单 元,形成于该第二面积中;第一感测放大器电路,形 成于 该第一面积的第一部份中,且系为一些相关联的储 存单元 而设置;第二感测放大器电路,形成于该第一面积 的第三 部份中,且系为一些相关联的储存单元而设置;各 该第一 和第二感测放大器电路皆具有第一和第二电源节 点;第一 线路,朝着第一方向延伸遍及第一面积,并共接到 各该第 一和第二感测放大器电路的第一电源节点;第二线 路,延 伸遍及第一面积,并共接到第一和第二感测放大器 电路的 第二电源节点;第一电源线,朝着第一方向延伸遍 及第一 面积;第二电源线,朝着第一方向延伸遍及第一面 积;至 少一个第一通道型式的第一电晶体,形成于该第一 面积的 第二和第四部份两者中之一部份内,并连接在第一 线路与 第一电源线之间,当启动时,用来在其间形成一电 流路径 ;及至少一个第二通道型式的第二电晶体,形成于 该第一 面积的第二和第四部份两者中之另一部份内,并连 接在第 二线路与第二电源线之间,当启动时,用来在其间 形成一 电流路径;该第一面积的第二和第四部份两者中之 该一部 份未包括连接在第二线路与第二电源线之间的电 晶体;而 该第一面积的第二和第四部份两者中之该另一部 份则未包 括连接在第一线路与第一电源线之间的电晶体。2 .根据申请专利范围第1项之装置,其中,各该第一和 第 二感测放大器电路尚包括:多数位元线,皆耦合到 一些相 关联的储存单元;以及多数预充电电晶体,每一电 晶体皆 形成在第一面积的第一和第三部份中之一相关联 部份内, 且每一电晶体被连接在一预充电电位位准线与该 等位元线 中之一有关联位元线之间;该装置尚包括:第三线 路,朝 着第一方向延伸遍及第一面积,并共接到每一预充 电电晶 体之闸极;至少一个第一通道型式的第三电晶体, 形成于 第一面积的第二和第四部份两者中之该一部份内, 并连接 在第一电源线与第三线路之间;及至少一个第二通 道型式 的第四电晶体,形成于第一面积的第二和第四部份 两者中 之该另一部份内,并连接在第二电源线与第三线路 之间。3.根据申请专利范围第1项之装置,其中各该 第一和第二 感测放大器电路尚包括:多数转移闸电晶体,每一 转移闸 电晶体皆形成在第一面积的第一和第三部份中之 该一相关 联部份内,用来将该等位元线中之一相关联位元线 耦合到 该等储存单元中之一相关联储存单元;该装置尚包 括:第 四线路,朝着一方向延伸遍及第一面积,并共接到 每一转 移闸电晶体的闸极;及至少一个第一通道型式的第 五电晶 体,形成于第一面积的第二和第四部份两者中之该 一部份 内,并连接在第一电源线与第四线路之间。4.根据 申请专利范围第1项之装置,其中该半导体晶片尚 具有第三面积,该第三面积协同第二面积将第一面 积包夹 在中间;该第一,第二及第三面积朝着与第一方向 垂直的 第二方向配列;该装置尚包括:多数之第一资料线, 朝着 第一方向延伸遍及第三面积,并连接到第一和第二 感测放 大器电路;多数之第二资料线,朝着第一方向延伸 于第一 到第三面积外;以及多数之界面电路,每一界面电 路分别 设在该等第一资料线中之一资料线与该等第二资 料线中之 一相关联资料线之间。图式简单说明:第一图系本 发明的 第一实施例之一电路配置图;第二图系本发明的第 一实施 例之一井孔布局图;第三图系本发明的第一实施例 之另一 电路配置图;第四图系在第一图中所显示之电路110 之一 电路配置;第五图系本发明的第二实施例之一井孔 布局图 ;第六图A和第六图B分别是:SWC2之一井孔布局和在 第五 图中所显示之一电路配置图;第七图系本发明的第 三实施 例之一电路配置图;第八图系本发明的第三实施例 之一井 孔布局图;第九图系一传统实例之一电路配置;及 第十图 系传统实例之一井孔布局图。 |
