Verfahren zur Herstellung eines Bipolartransistors mit verminderter Basis/Kollektor-Kapazität,申请号DE19895009837-传众专利搜索

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法人/股东/高管

发明名称	Verfahren zur Herstellung eines Bipolartransistors mit verminderter Basis/Kollektor-Kapazität
摘要
申请公布号	DE58909837(D1)	申请公布日期	1998.09.17
申请号	DE19895009837	申请日期	1989.09.22
申请人	SIEMENS AG, 80333 MUENCHEN, DE	发明人	MEISTER, THOMAS, DR., D-8028 TAUFKIRCHEN, DE;MEUL, HANS WILLI, DR., D-8206 BRUCKMUEHL, DE
分类号	H01L29/73;H01L21/331;H01L21/8249;H01L29/08;H01L29/732;(IPC1-7):H01L29/732	主分类号	H01L29/73
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