| 主权项 |
1﹒一种成像方法,系包括(a)均匀充电一由光电导层任意配置于一基质上并具有光电导性粒子分散于有机接合剂中而成之成像构件;以及(b)将上记记构件予以映像曝光俾辐射,使其中之上记光电导层吸收,结果静电潜像形成于上记构件上,其特征为上记接合剂包括传送电洞之材料;上记光电导性粒子能受辐射影响产生电洞并将该电洞注入于上记传送材料,该材料将引导电洞使之通过传送材料;上记光电导性粒子分散于上记光电导层内之量为该层容积之0﹒1至0﹒5%;上记传送材料实质上透明而至少不吸收成像所用特殊光波长带中之重要部份,以及上记传送材料至少包含下列诸合成物之一,即一聚乙烯唑,唑,N─乙基唑,N─苯基唑,聚─1─乙烯嵌二,聚甲烯嵌二,嵌二之N─取代聚合丙烯醯胺,嵌二,四,1─乙醯嵌二,2,3─苯并(廿屈),6,7─苯并嵌二,1─溴嵌二,1─乙基嵌二,1─甲基嵌二,二嵌苯,2─苯基,并四苯,(廿匹),1,3,6,8四苯基嵌二,(廿屈),芴,芴酮,菲,三亚苯,1,2,5,6─二苯并,1,2,3,4─二苯并,2,3─苯并嵌二,,二苯并吩及。2﹒依据请求专利部份第1项之方法,其特征为(c)上记潜像可加以显像而形成可见像。3﹒依据请求专利部分第2项之方法,其特征为(d)上记可见像被转移至承像表面者。4﹒依据请求专利部份第3项之方法,其特征为(d)项步骤后至少将步骤(a),(b)及(c)再反覆一次者。5﹒依据请求专利部分第1项至第4项之任一项方法,其特征为上记光电导性粒子之含量为上记光电导层容积之0﹒1至1﹒0%。6﹒依据请求专利部分第1项至第5项之任一项方法,其特征为上记光电导性粒子包括玻璃硒;三方晶硒,硒合金;硫硒化镉;或X型不含金属邻苯二甲氰。7﹒依据请求专利部分第1项至第6项之任一项方法,其特征为上记传送材料实质上透明而不吸收可视光谱范围内之辐射。8﹒依据请求专利部分第1项至第7项之任一项方法,其特征为上记传送材料实质上透明而不吸收4000至8000A范围之光波长者。9﹒依据请求专利部分第1项至第8项之任一项方法,其特征为上记光电导层系以一基质所支承者。10﹒依据请求专利部分第9之方法,其特征为上记基质系电导性者。11﹒依据请求专利部分第9项或第10项之方法,其特征为上记基质实质上透明者。12﹒依据请求专利部分第11项之方法,其特征为上记曝光系透过上记基质施行者。13﹒依据请求专利部分第9项至第12项之任一项方法,其特征为上记成像构件包括上记基质与上记光电导层间之一封锁层者。14﹒依据请求专利部分第1项至第13项之任一项方法,其特征为上记辐射系在可见光谱范围内者。15﹒依据请求专利部分第1项至第14项之任一项方法,其特征为上记辐射系在4000至800A范围之光波长者。16﹒由一光电导层任意配置于一基质上并具有光电导性粒子分散于有机接合剂中而成之成像构件,其特征为上记接合剂包括传送电洞之材料;上记光电导性粒子能受辐射影响而产生电洞且将此等电洞注入于上记传送材料内,该材料将引导电洞使之通过传送材料,上记光电导性粒子分散于上记光电导层内之量为该层容积之0﹒1至0﹒5%;上记传送材料实质上透明而至少不吸收成像所用特殊光波长带中之重要部份;以及上记传送材料至少包含下列诸合成物之一,即一聚乙烯唑,唑,N─乙基唑,N─苯基唑,聚─1─乙烯嵌二,聚甲烯嵌二,嵌二之N─取代聚合丙烯醯胺,嵌二,四,1─乙醉嵌二,2,3─并(廿屈),6,7─苯并嵌二,1─溴嵌二,1─乙基嵌二,1─甲基嵌二,二嵌苯,2─苯基,并四苯,(廿匹),1,3,6,8四苯基嵌二,(廿屈),芴,芴酮,菲,三亚苯,1,2,5,6─二苯并,1,2,3,4─二苯并,2,3─苯并嵌二,,二苯并吩及。17﹒依据请求专利部分第16项之成像构件,其特征为上记光电导性粒子之含量为上记光电导层容积之0﹒1至1﹒0%。18﹒依据请求专利部分第16项或第17项之成像构件,其特征为上记光电导性粒子包括玻璃硒;三方晶硒;硒合金;硫硒化镉;或X型不含金属邻苯二甲氰。19﹒依据请求专利部分第16项至第18项之任一项成像构件,其特征为上记传送材料实质上透明而不吸收可视光谱范围内之辐射。20﹒依据请求专利部分第16项至第18项之任一项成像构件,其特征为上记传送材料实质上透明而不吸收4000至8000A范围之光波长者。21﹒依据请求专利部分第16项至第20项之任一项成像构件,其特征为上记光电导层系以一基质所支承者。22﹒依据请求专利部分第21项之成像构件,其特征为上记基质系电导性者。23﹒依据请求专利部分第21项或22项之成像构件,其特征为上记基质实质上透明者。24﹒依据请求专利部分第21项至第23项之成像构件,其特征为上记成像构件包括上记基质与上记光电导层间之一封锁层者。 |
