Verfahren zur Herstellung einer Nut in einer Halbleiter-Laserdiode und Halbleiter-Laserdiode,申请号DE19956002211T-传众专利搜索

发明名称	Verfahren zur Herstellung einer Nut in einer Halbleiter-Laserdiode und Halbleiter-Laserdiode
摘要
申请公布号	DE69502211(T2)	申请公布日期	1998.09.17
申请号	DE19956002211T	申请日期	1995.01.30
申请人	MITSUBISHI CHEMICAL CORP., TOKIO/TOKYO, JP	发明人	HORIE, HIDEYOSHI, C/O MITSUBISHI CHEMICAL CORP., USHIKU-SHI, IBARAKI-KEN, JP;FUJIMORI, TOSHINARI, C/O MITSUBISHI CHEMICAL CORP., USHIKU-SHI, IBARAKI-KEN, JP;NAGAO, SATORU, C/O MITSUBISHI CHEMICAL CORP., USHIKU-SHI, IBARAKI-KEN, JP;HOSOI, NOBUYUKI, C/O MITSUBISHI CHEMICAL CORP., USHIKU-SHI, IBARAKI-KEN, JP;GOTO, HIDEKI, C/O MITSUBISHI CHEMICAL CORP., USHIKU-SHI, IBARAKI-KEN, JP
分类号	H01L33/00;H01S5/20;H01S5/22;H01S5/223;H01S5/227;(IPC1-7):H01S3/19;H01L21/306	主分类号	H01L33/00
代理机构		代理人
主权项
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