| 发明名称 | 半导体器件中的互连系统 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件,具有由非钨材料制成的接触销,以及溅射钨形成的互连图形,其通过接触销与硅衬底连接。钨膜在绝缘膜上,主要有(200)和(211)取向,以减少钨的电阻,在接触销的顶端Ti膜和TiN膜的暴露区域上主要具有(110)取向。 | ||
| 申请公布号 | CN1193189A | 申请公布日期 | 1998.09.16 |
| 申请号 | CN98104083.7 | 申请日期 | 1998.02.04 |
| 申请人 | 日本电气株式会社 | 发明人 | 约翰·马克·德瑞南 |
| 分类号 | H01L23/52;H01L21/768 | 主分类号 | H01L23/52 |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 穆德骏 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包括一半导体衬底；一绝缘膜，它覆盖在所述半导体衬底上并在其中具有通孔；一接触销，形成在所述通孔中；以及一层钨膜，形成在所述绝缘膜上和所述接触销的顶端上。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||