半导体异质结构及其制造方法以及半导体装置

摘要

本发明提供一种在GaAs基片上生长结晶缺陷少的GaInAs层或AeInAs层的高质量半导体的异质结构及其制造方法。利用在GaAs基片上由非晶状态进行单结晶而形成的缓冲层,封闭因晶格不匹配而产生的失配位错。

主权项

1、一种半导体异质结构，至少具有GaAs半导体基片和形成于该GaAs半导体基片上的GaInAs层或AlInAs层，其特征在于：通过在所述GaAs半导体基片上使非晶状态的GaInAs或AlInAs单结晶化而构成的1个或2个以上的GaInAs缓冲层或AlInAs缓冲层，并形成所述GaInAs层或AlInAs层而构成。