发明名称 |
半导体装置及其制造方法 |
摘要 |
在半导体基板(1b)中与其主表面不相连的位置处形成一个埋层绝缘层(2)。在半导体基板(1b)的主表面中形成一个LOCOS绝缘膜(3b),用于使有源区之间彼此绝缘。在有源区里形成薄膜晶体管。该薄膜晶体管具有栅极电极(8),该电极形成于有源区上边,中间夹有栅极绝缘层(7)。在半导体基板(1b)的主表面中栅极电极(8)的两侧形成一对源/漏层(5)。在半导体基板(1b)中在埋层绝缘层(2)的紧下边形成一个高浓度杂质层(15)。 |
申请公布号 |
CN1039859C |
申请公布日期 |
1998.09.16 |
申请号 |
CN95119435.6 |
申请日期 |
1995.12.21 |
申请人 |
三菱电机株式会社 |
发明人 |
大芦敏行;松房次郎;荣森贵尚;西村正 |
分类号 |
H01L27/10;H01L29/772;H01L29/788 |
主分类号 |
H01L27/10 |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代理人 |
杜日新 |
主权项 |
1.一种半导体装置,它包括:一个有主表面的半导体基板;一个埋层绝缘层,它形成于上述半导体基板中与上述主表面不相连的部位处;一个LOCOS绝缘膜,它形成于上述半导体基板的上述主表面中,用于有源区域之间彼此绝缘;和一个形成于上述有源区里的薄膜晶体管,上述薄膜晶体管具有一个栅极电极,它形成于上述有源区上边且中间插入一层栅极绝缘层,薄膜晶体管还具有一对源/漏层,它们形成于上述半导体基板的上述主表面里上述栅极电极的两侧,上述半导体装置还具有一个高浓度杂质层(15),它形成于上述半导体基板中上述埋层绝缘层的紧下边,其特征在于上述高浓度杂质层仅形成在上述LOCOS绝缘膜和上述有源区之间的边界部分的下边。 |
地址 |
日本东京 |