| 发明名称 |
PROCEDIMIENTO DE LITOGRABADO SOBRE SUBSTRATO SEMICONDUCTOR, ESPECIALMENTE PARA EL TRATAMIENTO LOCALIZADO SOBRE UN SALIENTE. |
| 摘要 |
PROCESO DE TRATAMIENTO LOCALIZADO EN UN SALIENTE, EN PARTICULAR DE LITOGRABADO SOBRE SUSTRATO SEMICONDUCTOR. SEGUN ESTE PROCESO SE LLEVA UNA RESINA DE PROTECCION (108) UTILIZADA PARA EL LITOGRABADO A FLUIR BAJO EL EFECTO DE SU TENSION SUPERFICIAL PARA AUMENTAR SU ESPESOR ALREDEDOR DE UN SALIENTE (106) SOBRE LA QUE SE DEBE FORMAR UNA VENTANA (114). LA INVENCION SE APLICA EN PARTICULAR A LA FABRICACION DE LOS LASERES SEMICONDUCTORES.
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| 申请公布号 |
ES2118119(T3) |
申请公布日期 |
1998.09.16 |
| 申请号 |
ES19920400105T |
申请日期 |
1992.01.15 |
| 申请人 |
ALCATEL ALSTHOM COMPAGNIE GENERALE D'ELECTRICITE |
发明人 |
POINGT, FRANCIS;LIEVIN, JEAN-LOUIS;GAUMONT-GOARIN, ELISABETH |
| 分类号 |
H01L21/302;G03F7/40;H01L21/027;H01L21/3065;H01L21/3105;H01S5/00;(IPC1-7):H01L21/310;H01L21/60 |
主分类号 |
H01L21/302 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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