| 主权项 |
1.一种半导体元件的制造方法,其所提供之一基底 表面有 复数个连接端子与一半导体晶片相焊接,且该半导 体晶片 焊接于该基底之上,该方法包括下列步骤:于该基 底上放 置一层状的硬化树脂;以及焊接该半导体晶片与该 些连接 端子,使该硬化树脂介于其中,并同时以该硬化树 脂密封 该半导体晶片于该基底上。2.如申请专利范围第1 项所述之方法,其中该层状的硬化 树脂系在该半导体晶片与该基底焊接,使该些连接 端子介 于该半导体晶片与该基底之间的之前或之后进行 放置。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该 硬化树脂系 一热固型树脂,其中树脂密封系以加热与硬化该热 固型树 脂完成。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中 该层状硬化树 脂之厚度与该些连接端子之厚度一致。5.如申请 专利范围第1项所述之方法,其中该层状硬化树 脂具有复数个间隙孔,以调节在密封期间该树脂在 该些连 接端子上的含量。6.如申请专利范围第1项所述之 方法,其中一护环环绕于 该层状硬化树脂之周围,以防止该树脂在密封期间 流出。7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该 层状硬化树 脂包括复数个作为对准之用的凹处,且在面向该些 凹处的 该基底上提供复数个与该些凹处对应的凸处以完 成该层状 硬化树脂之定位。8.如申请专利范围第1项所述之 方法,其中该层状硬化树 脂系一紫外光硬化树脂。9.如申请专利范围第1项 所述之方法,其中该层状硬化树 脂系于固态时硬化的树脂。10.一种半导体元件的 制造方法,包括下列步骤:于一基 底上放置一层状的硬化树脂;于该基底上焊接一半 导体晶 片,使该硬化树脂介于该半导体晶片与该基底之间 ,该基 底表面上的复数个连接端子介于半导体晶片与该 基底之间 ;以该硬化树脂密封该半导体晶片于该基底上;以 及焊接 该半导体晶片于具有该些连接端子以及该硬化树 脂插入于 其间的该基底之上。11.一种半导体元件的制造方 法,包括下列步骤:于一基 底上焊接一半导体晶片,该基底的表面上的复数个 连接端 子介于该半导体晶片与该基底之间;于该半导体晶 片与该 基底之间的该基底之上放置层状硬化树脂;以该树 脂密封 该半导体晶片于该基底上;以及于具有该连接端子 的该基 底之上焊接该半导体晶片,使硬化树脂介于该半导 体晶片 与该基底之间。图式简单说明:第一图绘示依照本 发明之 第一较佳实施例,以一种半导体元件的制造方法所 制得之 元件成品之CSP结构的剖面图。第二图绘示第一图 中树脂 硬化前之CSP结构的剖面图。第三图A与第三图B绘 示依照 本发明之第二较佳实施例,以一种半导体元件的制 造方法 所制得之CPS结构的剖面图。第四图A与第四图B绘 示据本 发明之第三较佳实施例,以一种半导体元件的制造 方法所 制得之CPS结构的剖面图 。第五图绘示据本发明之 第四较 佳实施例,以一种半导体元件的制造方法所制得之 CPS结 构的剖面图 。 |
