| 主权项 |
1.一种排气系统,系作为成膜处理装置之排气系统, 其特 征为:具备:接续于使用有机金属化合物的汽化气 体于对 象物施以成膜处理的成膜处理装置的排气管路;及 设于前 述排气管路、将成膜处理装置内的气体作为排气 气体而通 过排气管路压送之压送手段;及设于前述压送手段 、将压 送手段冷却至较有机金属化合物的热分解温度还 低的温度 、并抑制被导入压送手段内的排气气体中所含有 的有机金 属化合物的析出的冷却手段;及设于较压送手段还 朝下游 方向的排气管路的部位、通过排气管路而将导入 的排气气 体中所含之有机金属化合物除害之除害手段。2. 如申请专利范围第1项之排气系统,其中,前述除害 手 段系将排气气体中的有机金属化合物燃烧除害。3 .如申请专利范围第2项之排气系统,其中,前述除害 手 段系由通过排气管路将排气气体导入的外壳,及对 外壳内 供给乾燥空气的乾燥空气供给手段,及设于外壳内 之陶瓷 加热板所构成;由来自陶瓷加热板的放射热与乾燥 空气而 将导入外壳内的排气气体中的有机金属化合物燃 烧除害。4.如申请专利范围第1项之排气系统,其中 ,前述除害手 段系将排气气体中的有机金属化合物藉由化学反 应而除害 。5.如申请专利范围第1项之排气系统,其中,前述 压送手 段系藉由一对旋转子相互接触旋转,而压送排气气 体之根 式真空帮浦。6.如申请专利范围第5项之排气系统, 其中,前述冷却手 段系由前述压送手段的上游侧向下游侧延伸的冷 却管路所 构成,冷媒自排气气体的压缩率变高的前述压送手 段的下 游侧流入冷却管路内。7.如申请专利范围第1项之 排气系统,系具备有:位于较 前述除害手段偏向下游侧的排气管路部位,使排气 气体接 触水分而将排气气体中的含有物除去的水洗净器 。8.如申请专利范围第1项之排气系统,其中,前述 有机金 属化合物系由氢化二甲基铝(DMAH,dimethylaluminium hydride)、三异丁基铝(TIBA,triisobutylaluminium)、 二甲乙胺基矾(DMEAA,dimethylethylaminoalum)、三甲 乙胺基矾(TMEAA,trimethylaminoalum)、二甲基铝(TMA ,trimethylaluminium)、三甲基镓(TMG, trimethylgallium)、三烷基膦(Trialkylphosphine)所构 成的化合物群中之任一化合物。9.一种排气系统, 系作为成膜处理装置之排气系统,其特 征为:具备:接续于使用有机金属化合物的汽化气 体于对 象物施以成膜处理的成膜处理装置的排气管路;及 设于前 述排气管路、吸引成膜处理装置内的气体而通过 排气管路 压送之第1压送手段;及及设于较前述第1押送手段 为下游 侧的的排气管路部位、将自第上压送手段所排气 的气体通 过排气管路而压送之第2压送手段;及对于前述第1 压送手 段供给非活性气体,藉由此非活性气体的压力,而 限制吸 引气体自成膜处理装置向处于有机金属化合物的 热分解温 度以上的第1压送手段的部位侵入的非活性气体供 给手段 ;及设于前述第2压送手段、将第2压送手段冷却至 较有机 金属化合物的热分解温度还低的温度、并抑制被 导入第2 压送手段内的排气气体中所含有的有机金属化合 物的析出 的冷却手段;及设于较前述第2压送手段还朝下游 方向的 排气管路的部位、通过排气管路而将导入的排气 气体中所 含之有机金属化合物除害之除害手段。10.如专利 范围第9项之排气系统,其中,前述除害手段系 将排气气体中的有机金属化合物燃烧除害。11.如 申请专利范围第10项之排气系统,其中,前述除害 手段系由通过排气管路将排气气体导入的外壳,及 对外壳 内供给乾燥空气的乾燥空气供给手段,及设于外壳 内之陶 瓷加热板所构成;由来自陶瓷加热板的放射热与乾 燥空气 而将导入外壳内的排气气体中的有机金属化合物 燃烧除害 。12.如申请专利范围第9项之排气系统,其中,前述 除害手 段系将排气气体中的有机金属化合物藉由化学反 应而除害 。13.如申请专利范围第9项之排气系统,其中,前述 第2压 送手段系藉由一对旋转子相互接触旋转,而压送排 气气体 之根式真空帮浦。14.如申请专利范围第13项之排 气系统,其中,前述冷却 手段系由前述第2压送手段的上游侧向下游侧延伸 的冷却 管路所构成,冷媒自排气气体的压缩率变高的前述 第2压 送手段的下游侧流入冷却管路内。15.如申请专利 范围第9项之排气系统,系具备有:位于较 前述除害手段偏向下游侧的排气管路部位,使排气 气体接 触水分而将排气气体中的含有物除去的水洗净器 。16.如申请专利范围第9项之排气系统,其中,前述 有机金 属化合物系由氢化二甲基铝(DMAH,dimethylaluminium hydride)、三异丁基铝(TIBA,triisobutylaluminium)、 二甲乙胺基矾(DMEAA,dimethylethylaminoalum)、三甲 乙胺基矾(TMEAA,trimethylaminoalum)、三甲基铝(TMA ,trimethylaluminium)、三甲基镓(TMG, trimethylgallium)、三烷基膦(Trialkylphosphine)所构 成的化合物群中之任一化合物。17.如申请专利范 围第9项之排气系统,其中:前述第1压 送手段系于其内部具有多数旋转叶片的涡轮分子 帮浦;前 述非活性气体供给手段系对于使前述旋转叶片旋 转之旋转 轴的轴承部供给非活性气体。18.一种排气方法,系 将成膜处理装置内的气体排除之排 气方法,其特征为:自成膜处理装置将含有有机金 属化合 物的气体向排气管路内吸引;使气体中的有机金属 化合物 不要析出而将气体通过排气管路流到除害手段;以 前述除 害手段将气体中所含有的有机金属化合物除害。 图式简单 说明:第一图系设有本发明一相关实施例之排气系 统之成 膜处理装置的概略构成图。第二图系构成第一图 之排气系 统之涡轮分子帮浦之概略断面图。第三图系构成 第一图之 排气系统之乾帮浦之概略断面图。第四图系构成 第一图之 排气系统之除害手段之概略断面图。第五图系构 成第一图 之排气系统之涡轮分子帮浦之概略断面图。第六 图系构成 第四图之除害手段之变形例之概略断面图。 |
