DISPOSITIF A SEMICONDUCTEURS AYANT PLUSIEURS TYPES DE TRANSISTORS FORMES DANS UNE PUCE ET PROCEDE POUR SA FABRICATION

摘要

Dans un dispositif à semiconducteurs et un procédé de fabrication de celui-ci, une relation de compromis entre des valeurs de seuil et un courant de fuite de couche de diffusion est éliminée, et il n'est pas nécessaire de former des pellicules d'oxyde de grille à plus d'une étape. Du fait que des doses d'impureté sont mutuellement différentes entre des électrodes de grille (4A à 4C) de transistors MOS de type à canal N (T41 à T43) , les concentrations en impureté dans les électrodes de grille (4A à 4C) sont mutuellement différentes. Les concentrations en impureté dans les électrodes de grille sont progressivement inférieures dans l'ordre de valeurs de seuil supérieures que l'on désire obtenir pour différents transistors. On peut ainsi former plus aisément sur une même puce des transistors ayant des caractéristiques différentes.