半导体装置及其制造方法

摘要

本发明的目的在于,提供能消除阈值与扩散层泄漏的折衷关系、同时使栅氧化膜的形成无须分多次进行的半导体装置和制造方法。在N沟道型MOS晶体管T41～T43的栅电极4A～4C中,由于杂质剂量各自不同,所以杂质浓度也各不相同,在构成时使栅电极中的杂质浓度按预计的阈值较高的顺序依次减低。

主权项

1.一种半导体装置，在同一半导体衬底上备有多个部分，其特征在于：上述多个部分具有第1～第3类晶体管中的至少一种，上述第1类晶体管备有在上述半导体衬底的表面内形成的第1导电型的第1半导体层、在上述第1半导体层内有选择地形成的第1导电型的第1沟道掺杂层、及在上述第1半导体层的上部与上述第1沟道掺杂层相对的位置上形成的第1控制电极，上述第2类晶体管备有在上述半导体衬底的表面内形成的第1导电型的第2半导体层、在上述第2半导体层内有选择地形成的第1导电型的第2沟道掺杂层、及在上述第2半导体层的上部与上述第2沟道掺杂层相对的位置上形成的第2控制电极，上述第3类晶体管备有在上述半导体衬底的表面内形成的第1导电型的第3半导体层、在上述第3半导体层内有选择地形成的第1导电型的第3沟道掺杂层、及在上述第3半导体层的上部与上述第3沟道掺杂层相对的位置上形成的第3控制电极，上述第1～第3控制电极中的至少一个，在其内部备有在深度方向形成浓度分布的第2导电型杂质层。