曝光用光掩模及其制造方法

摘要

一种可将具有一个台阶的需要的图形转移到半导体衬底S上的曝光掩模,具有由光阻膜形成的区域和半透明膜形成的区域。穿过半透明膜的曝光光线和穿过完全透明部分的曝光光线之间的理想光程差以及理想的掩模尺寸由半导体衬底中的台阶和需要的图形尺寸决定,根据理想的光程差和理想的掩模图形尺寸形成图形。给定半透明膜的厚度,以使穿过半透明膜的曝光光线和穿过完全透明部分的曝光光线之间的光程差基本上等于半导体衬底中的台阶。

主权项

1.一种用于将所需图形传递到具有台阶的要曝光材料上的曝光掩模，所说曝光掩模为一单体，其构成使通过位于所说曝光掩模的第一区的孔图形的曝光光线的焦点与通过位于不同于所说第一区的第二区的孔图形的曝光光线的焦点彼此不同。