发明名称 | 具有间接加热阴极的离子源阴极装置 | ||
摘要 | 一种采用本发明的离子源(12)可用于离子掺杂器(10)上。此离子源有一气体密闭腔(76),该腔(76)有围成一气体离化区(R)的导电腔壁(130a、130b、130c、130d、130e、132)。气体密闭腔有一将离子发射出该腔(76)的一发射孔(78)。一基座(80,82,120)将气体密闭腔(76)相对结构(90,14)定位安置,将由气体密闭腔(76)中发射出的离子形成离子束(20)。 | ||
申请公布号 | CN1192575A | 申请公布日期 | 1998.09.09 |
申请号 | CN97122876.0 | 申请日期 | 1997.10.30 |
申请人 | 易通公司 | 发明人 | T·N·霍尔斯基;W·E·雷伊诺尔德斯;R·M·克劳蒂尔 |
分类号 | H01J37/08 | 主分类号 | H01J37/08 |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 林长安 |
主权项 | 1.一种用于离子掺杂器(10)的离子源(12),它具有:a)一气体密封腔(76),它有围成一气体离子化区(R)的腔壁(130a,130b,130c,130d,130e及132),还有使得离子射出此腔的一射出孔(78),其特征在于,一个腔壁(130e)上有从一腔壁延伸出的突缘(202);b)一用于将可离化气体送入该气密封腔中的气体输送系统(122,123,126,128,144);c)一基座(80,82,120),用于将该气密封腔(76)支承在对着结构(90,14)位置处,使从所述气密封腔(76)中射出的离子形成一离子束(20);d)一个相对所述气密封腔(76)的离化区定位安置的阴极(124),它用以向气密封腔76中离化区发射电离电子,使气体分子离化;e)一具有一大致平的第一表面(200),安装于气密封腔(76)壁的突缘上的绝缘架(150),它用以支承所述阴极,使该阴极与气密封腔(76)电气绝缘;f)该阴极包括一导电的阴极体(160,162,164),该阴极体围成一内部区域并有一外表面,它伸入至气密封腔(76)内,还包括由所述绝缘架支承的丝极(178),它位于阴极导电体内部,用于使导电体加热,由此而使电离电子从导电体射入气密封腔(76)内。 | ||
地址 | 美国俄亥俄州 |