发明名称 多重量子阱结构的光电子器件
摘要 带MQW-结构的光电子器件,带有两个不同作用的MQW-结构的器件,在此器件处,组成MQW-结构的层序列(4)(14),是在同类层的一个层面的简单晶体取向附生过程中长大的。在激光二极管-调制器组合结构中,激光MQW-层序列(4)是安装在调制器的MQW-层序列(14)以内的。
申请公布号 CN1192056A 申请公布日期 1998.09.02
申请号 CN97125233.5 申请日期 1997.12.17
申请人 西门子公司 发明人 B·施特格姆韦莱
分类号 H01L33/00 主分类号 H01L33/00
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 黄向阳;萧掬昌
主权项 1.用半导体材料做成的光电子器件,至少带有两个部件(2)(3),其中每个部件各带有一个多重势阱结构的层序列(4)(14),—在这个器件处,层序列(4)(14)根据材质的不同、层的厚度和数目的不同;分别组成可以区分的多势阱结构。—在这个器件处,这些层序列是相叠安置的同类层序列的一部分。—在这个结构处,在每一个层面内只有一个这种同类层的层。
地址 联邦德国慕尼黑