发明名称 Chemical vapor deposition method for forming silicon oxide film
摘要
申请公布号 EP0517548(B1) 申请公布日期 1998.09.02
申请号 EP19920305192 申请日期 1992.06.05
申请人 NEC CORPORATION 发明人 HOMMA, TETSUYA
分类号 H01L21/316;C23C16/40;C23C16/44;C23C16/455;(IPC1-7):C23C16/40;C23C16/30 主分类号 H01L21/316
代理机构 代理人
主权项
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