| 发明名称 | 金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 在MOSFET中,为了抑制由于热载流子而导致的晶体管特性退化,并提高器件的可靠性,通过在漏附近且在p型硅衬底上的n沟道区中连接两种具有不同功函数的材料形成第一和第二栅极,漏附近的反向阈值电压向负方向的漂移量为功函数差,该漂移量大于沟道区中的阈值电压的漂移量。 | ||
| 申请公布号 | CN1192053A | 申请公布日期 | 1998.09.02 |
| 申请号 | CN98103675.9 | 申请日期 | 1998.01.26 |
| 申请人 | 冲电气工业株式会社 | 发明人 | 冲原将生;内田英次 |
| 分类号 | H01L29/78;H01L21/336 | 主分类号 | H01L29/78 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.一种4MOSFET，包括：通过在n沟道区或p沟道区中的漏附近连接两种具有不同功函数的材料而形成的第一和第二栅极；及低浓度扩散漏层，其前端设置于所述第二栅极的一部分中，其中，漏附近的反向阈值电压向负方向或正方向的漂移量为功函数差，该漂移量大于所述沟道区中的阈值电压的漂移量。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||