| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Erzeugen von Kontaktlöchern 12 in einer Halbleiteranordnung, die ein Siliziumsubstrat 1 mit aktiven Strukturen 2 aufweist, welches mit einer Isolatorschicht 9 bedeckt ist, wobei eine Ätzmaske 10 mit Öffnungen 11 zum Erzeugen von Kontaktlöchern 12 zum Kontaktieren von wenigstens einem leitfähigen Bereich 8 auf die Isolatorschicht 9 aufgebracht wird, die Kontaktlöcher 12 durch ein Plasmaätzverfahren erzeugt werden, bei dem ein zum Ätzen der Isolatorschicht 9 geeignetes und ein Trägergas enthaltendes Gasgemisch verwendet wird. Eine hohe Ätzselektivität wird dadurch erreicht, daß dem Gasgemisch Sauerstoff beigemischt wird.</p> |
