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Die Erfindung bezieht sich auf eine Halbleiter-Schaltungsanordnung mit einem über ein Eingangssteuersignal steuerbaren Inverter (17) und einem dem Inverter (17) nachgeschalteten und von diesem angesteuerten Transfertransistor (2), an dessen einem Elektrodenanschluss (Source 3) eine zu schaltende Arbeitsspannung anliegt, wobei Inverter (17) und Transfertransistor (2) als integrierte Halbleiterschaltungselemente in einem Halbleitersubstrat (9) mit einem vorbestimmten ersten Leitfähigkeitstyp (p) ausgebildet sind. Der Transfertransistor (2) ist durch einen innerhalb einer in dem Halbleitersubstrat (9) eingebetteten äusseren Wanne (10) eines zweiten, gegenüber dem ersten Leitfähigkeitstyp entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps (n) ausgebildeten Tripple-Well-Feldeffekttransistor mit einem der äusseren Wanne (10) vom zweiten Leitfähigkeitstyp (n) zugeordneten Wannenanschluss (5, 15) und einem einer inneren Wanne (11) zugeordneten Bulk-Anschluss (5, 16) ausgebildet, welcher Bulk-Anschluss (5, 16) gegenüber dem Halbleitersubstrat (9) vom ersten Leitfähigkeitstyp elektrisch isoliert ist.
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