光生伏打器件、光电换能器及其制造方法

摘要

提供一种光生伏打器件和光电换能器,具有通过叠架p型半导体层、i型半导体层和n型半导体层形成的pin结构的半导体层,i型半导体层包括非单晶半导体,i型半导体层内晶粒的平均尺寸分布不均匀。也提供一种制造光生伏打器件和光电换能器的方法。根据本发明的制造方法能以提高的速度和低成本生产具有优良光电转换效率和显著的光学稳定性的光生伏打器件和光电换能器。

主权项

1.一种光生伏打器件，具有通过叠加p型半导体层、i型半导体层和n型半导体层形成的pin结构的半导体层，其中i型半导体层包括非单晶半导体，并且i型半导体层晶粒的平均晶粒尺寸分布不均匀。