非易失型半导体存贮器

摘要

一种在编程时不必给未选位线加上高的编程禁止电压就能缩小芯片面积和功耗、防止过编程的非易失性半导体存贮器。在块擦除操作中，令被选存贮块的字线处于参考电压，而令未选字线处于浮动态，给衬底加上擦除电压，则处于浮动态的字线就会自动防止通过电容耦合上述擦除电压而被擦除。

主权项

1.一种非易失性半导体存储器，包括在半导体衬底的一个表面上形成的多个字线，和在上述一个表面上形成的多个单元部件的阵列，每个部件单元具有至少1个存储晶体管，所述存储晶体管由在半导体衬底上形成的源区和漏区、处在该两个区之间的沟道区、在该沟道区上面被绝缘地形成的浮置栅、和在该浮置栅上面被绝缘地形成的控制栅构成，每个存储晶体管的控制栅与对应的字线接通，所述阵列划分为多个存储块，每个存储块由多个单元部件构成，通过利用数据擦除动作向半导体衬底施加高压擦除电压并向与被选择的存储块中的被选择的存储晶体管接通的字线施加参考电压，来擦除借助浮置栅与半导体衬底之间的电荷移动所选择的存储晶体管；该种非易失性半导体存储器的特征在于：包括一个在数据擦除动作中能使与未被选择的存储块中的存储晶体管接通的字线浮置、并且使擦除电压的大部分在浮置字线上进行电容耦合的装置，以此来防止未被选择的存储块中的存储晶体管被擦除。