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发明名称 MOS type semiconductor device
摘要
申请公布号 EP0665595(B1) 申请公布日期 1998.08.26
申请号 EP19950100148 申请日期 1995.01.06
申请人 FUJI ELECTRIC CO. LTD. 发明人 FUJIHARA, TATSUHIKO;NISHIMURA, TAKEYOSHI;KOBAYASHI, TAKAHASHI;ARAI, TOSHIHIRO
分类号 H01L21/336;H01L29/06;H01L29/08;H01L29/10;H01L29/739;H01L29/78;(IPC1-7):H01L29/06 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人
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