| 主权项 |
1.一种显示系统,系使用含有形成在至少其表面之 一部份 系作成为绝缘物质之基板之该绝缘物质上之非单 晶半导体 膜之薄膜半导体装置者,其特征为:包含有形成于 前述绝 缘物质上之主动矩阵部,及形成于前述绝缘物质上 且由前 述薄膜半导体装置所构成之资料驱动部及扫瞄驱 动部;前 述半导体膜含有配置在薄膜电晶体之源极部及汲 极部之第 1杂质半导体膜,及配置在薄膜电晶体之汲极部和 通道部 之间及源极部和通道部之间两者中之任一边之高 电阻之第 2杂质半导体膜;含有放大自影像信号产生装置输 出之影 像信号之影像信号放大电路,及产生与自影像信号 产生装 置输出之影像信号同步之时序信号之时序控制器; 经由闸 极绝缘膜形成于前述半导体膜上之闸极长度系在5 m以下 ;前述第2杂质半导体膜之最大杂质浓度系在11018cm -3 -11019cm-3之范围内;前述第1杂质半导体膜之最大杂 质浓度系在51019cm-3-11021cm-3之范围内;汲极部 或源极部之LDD长度系在0.6m-4m之范围内;以及 前 述资料驱动器部及前述扫瞄驱动器部系以前述时 序信号在 TTL位准以下被驱动。2.如申请专利范围第1项之显 示系统,其中前述时序控制 器系由前述薄膜半导体装置所构成。3.如申请专 利范围第1项之显示系统,其中前述影像信号 放大电路含有将影像信号转换为多数低频信号之 信号频率 转换电路或补正电路。4.如申请专利范围第1项 之显示系统,其中前述影像信号 放大电路系由前述薄膜半导体装置所构成。5.如 申请专利范围第1项之显示系统,其中若将汲极部 之 LDD长度设为L Iddd,将汲极部之端子孔之通道侧之端 边 迄闸极之距离设为L contd时则有下式之关系 0.8L Iddd≦L contd≦1.2L Iddd。图式简单说明: 第一图(A)-(D)系表示第1实施例之制造方法之工程 图。 第二图系周边驱动电路内置型主动矩阵LCD之电路 图。第 三图系采用主动矩阵LCD之显示系统之方块图。第 四图系 LDD型TFT之断面图。第五图系一般构造之TFT之断面 图。 第六图系表示LDD型TFT及一般构造之TFT之闸极长和 源极 汲极耐压之关系之特性图。第七图系表示LDD型 TFT及一 般构造之TFT之闸极长和on电流之关系之特性图。 第八图( A)-(C)系用为说明CMOS倒反器电路之动作之图。第九 图( A),(B)系表示薄膜电晶体之转移(transfer)特性之图。 第十图系表示移位暂存器电路之最高动作频率之 图。第十 一图(A)-(C)系由单晶MOSFET所构成之CMOS倒反器电路 之 情形之电路图,图案图,晶圆断面图。第十二图系 由TFT 所构成之CMOS倒反器之情形之图案。第十三图系表 示LDD 部之掺入量和on电流及off电流之关系之特性图。 第十四 图系表示LDD部之掺入量和onoff比之关系之特性 图。第 十五图系表示LDD部之掺入量和薄板电阻之关系之 特性图 。第十六图系表示源极汲极部之掺入量和扩散 长之关系 之特性图。第十七图系表示源极汲极部之掺入 量和端子 电阻之关系之特性图。第十八图系表示LDD长和on 电流及 off电流之关系之特性图。第十九图系表示LDD长和 源极 汲极耐压之关系之特性图。第二十图系表示为计 算寄生电 阻等所用之模型之图。第二十一图系表示非晶质 TFT,已 往之多晶TFT,本实施例,单晶MOSFET之载体移动率比 和 on电流之一例。第二十二图(A)系薄膜半导体装置 之构造 之一例,第二十二图(B)系此薄膜半导体装置之等效 电路 图。 |
