| 主权项 |
1.一种在化学机械研磨的平坦化过程后防止离子 扩散的方 法,包括下列步骤:提供一基底,该基底上已形成有 一导 电层;在该导电层的表面上形成一矽氮化物层;以 及在该 矽氮化物层上沈积一绝缘层,该绝缘层将以化学机 械研磨 法研磨。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中 该导电层为一 金属层。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中 该矽氮化物层 可以热沈积法来沈积,厚度为100A-3000A。4.如申请专 利范围第1项所述之方法,其中该矽氮化物层 可以电浆加强型化学气相沈积法来沈积,厚度为100 A- 3000A。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该 绝缘层为利 用电浆加强型化学气相沈积法以四乙基正矽酸盐 所形成的 氧化薄膜。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其 中该绝缘层为利 用电浆加强型化学气相沈积形成的氧化薄膜。图 式简单说 明:第一图绘示习知一种在进行CMP后发生金属离子 扩散 的情形;第二图绘示本发明之较佳实施例,一种在 CMP平 坦化过程后可防止离子扩散的方法;第三图绘示底 层为裸 露的矽,在不沈积矽氮化物的阻障层时,经CMP制程 后, 其金属离子于各层的浓度分布;以及第四图绘示底 层为矽 基材,在经沈积矽氮化物的阻障层时,经CMP制程后, 其 金属离子于各层的浓度分布。10...底层;12...绝缘 层; 14...金属离子;20...底层;22...绝缘层;24...金属离 子;26...矽氮化物层。 |
