Method of manufacturing a raised capacitor electrode

摘要

Die Erfindung sieht vor, zunächst eine erhabene Grundstruktur (8) aus einem leitenden oder nichtleitenden, leicht strukturierbaren Ersatzmaterial herzustellen und auf diese insbesondere Platin als Elektrodenmaterial aufzusputtern. Die Schichtdicke des Elektrodenmaterials ist dann an der Oberseite und an den Seitenwänden der Grundstruktur größer als auf der benachbarten Oberfläche, so daß es bei einem anschließenden anisotropen Ätzprozeß lediglich auf dieser Grundstruktur verbleibt. Das Verfahren ist vorteilhaft einsetzbar bei Speicherzellen mit einem Hoch-ε-Dielektrikum oder Ferroelektrikum als Kondensatordielektrikum. <IMAGE>