METHOD FOR MINIMIZING THE ACCESS TIME FOR SEMICONDUCTOR MEMORIES

摘要

Fertigungsbedingt unterliegen auch bei gleichen technologischen Parametern die Zugriffszeiten von Halbleiterspeichern Schwankungen, die zu einem gewissen Anteil an langsamen Speicherchips führen. Durch Anhebung der internen Versorgungsspannung der langsameren Halbleiterspeicher um einen vom jeweiligen Halbleiterspeicher abhängigen Betrag wird die Zugriffszeit verkürzt. Das Verfahren findet Anwendung bei Halbleiterspeichern, insbesondere bei dynamischen Halbleiterspeichern.