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发明名称 Method of manufacturing semiconductor device having elements isolated by trench
摘要
申请公布号 EP0402897(B1) 申请公布日期 1998.08.19
申请号 EP19900111198 申请日期 1990.06.13
申请人 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA 发明人 MIYASHITA, NAOTO;TAKAHASHI, KOICHI;SONOBE, HIRONORI
分类号 H01L21/76;H01L21/316;H01L21/32;H01L21/763;(IPC1-7):H01L21/768 主分类号 H01L21/76
代理机构 代理人
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